Технічний опис APTC60DDAM35T3G Microchip Technology
Description: MOSFET 2N-CH 600V 72A SP3, Packaging: Bulk, Package / Case: SP3, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 416W, Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 72A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 518nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5.4mA, Supplier Device Package: SP3.
Інші пропозиції APTC60DDAM35T3G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
APTC60DDAM35T3G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
||
|
APTC60DDAM35T3G | Виробник : Microchip Technology |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: SP3 Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 416W Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 72A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 518nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5.4mA Supplier Device Package: SP3 |
товару немає в наявності |
|
APTC60DDAM35T3G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |