APTC60DDAM45T1G

APTC60DDAM45T1G Microchip Technology


1867333-aptc60ddam45t1g-rev2-pdf.pdf Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 600V 49A 10-Pin Case SP-1 Tube
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APTC60DDAM45T1G Microchip Technology

Description: MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1, Packaging: Tray, Package / Case: SP1, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 250W, Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA, Supplier Device Package: SP1.

Інші пропозиції APTC60DDAM45T1G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
APTC60DDAM45T1G Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY 7333-aptc60ddam45t1g-datasheet APTC60DDAM45T1G Transistor modules MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APTC60DDAM45T1G Виробник : Microchip Technology 7333-aptc60ddam45t1g-datasheet Description: MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1
Packaging: Tray
Package / Case: SP1
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N Channel (Dual Buck Chopper)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250W
Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA
Supplier Device Package: SP1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APTC60DDAM45T1G Виробник : Microchip Technology APTC60DDAM45T1G_Rev2-3107102.pdf MOSFET Modules PM-MOSFET-COOLMOS-SP1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.