APTC60HM70RT3G

APTC60HM70RT3G Microchip Technology


322123999-aptc60hm70rt3g-rev1-pdf.pdf Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 600V 39A 20-Pin Case SP-3F Tube
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APTC60HM70RT3G Microchip Technology

Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; diode/transistor; 600V; 29A; SP3F; Press-in PCB; Idm: 160A, Type of semiconductor module: MOSFET transistor, Semiconductor structure: diode/transistor, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 29A, Case: SP3F, Topology: H-bridge; NTC thermistor; single-phase diode bridge, Electrical mounting: Press-in PCB, On-state resistance: 70mΩ, Pulsed drain current: 160A, Power dissipation: 250W, Technology: CoolMOS™, Gate-source voltage: ±20V, Mechanical mounting: screw, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції APTC60HM70RT3G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
APTC60HM70RT3G Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY 123999-aptc60hm70rt3g-rev1-pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 600V; 29A; SP3F; Press-in PCB; Idm: 160A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: diode/transistor
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29A
Case: SP3F
Topology: H-bridge; NTC thermistor; single-phase diode bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
On-state resistance: 70mΩ
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 250W
Technology: CoolMOS™
Gate-source voltage: ±20V
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APTC60HM70RT3G APTC60HM70RT3G Виробник : Microsemi Power Products Group 123999-aptc60hm70rt3g-rev1-pdf Description: MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APTC60HM70RT3G Виробник : Microchip Technology APTC60HM70RT3G_Rev1-3444493.pdf MOSFET Modules PM-MOSFET-COOLMOS-SP3F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APTC60HM70RT3G Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY 123999-aptc60hm70rt3g-rev1-pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 600V; 29A; SP3F; Press-in PCB; Idm: 160A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: diode/transistor
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29A
Case: SP3F
Topology: H-bridge; NTC thermistor; single-phase diode bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
On-state resistance: 70mΩ
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 250W
Technology: CoolMOS™
Gate-source voltage: ±20V
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.