APTC60TAM21SCTPAG MICROCHIP TECHNOLOGY
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGYCategory: Transistor modules MOSFET
Description: Module; SiC diode/transistor; 600V; 87A; SP6P; Press-in PCB; 625W
Case: SP6P
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: CoolMOS™; SiC
Gate-source voltage: ±20V
Topology: MOSFET x3 half-bridge; NTC thermistor
Pulsed drain current: 400A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 87A
On-state resistance: 21mΩ
Semiconductor structure: SiC diode/transistor
Power dissipation: 625W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APTC60TAM21SCTPAG MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; SiC diode/transistor; 600V; 87A; SP6P; Press-in PCB; 625W, Case: SP6P, Electrical mounting: Press-in PCB, Mechanical mounting: screw, Technology: CoolMOS™; SiC, Gate-source voltage: ±20V, Topology: MOSFET x3 half-bridge; NTC thermistor, Pulsed drain current: 400A, Type of semiconductor module: MOSFET transistor, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 87A, On-state resistance: 21mΩ, Semiconductor structure: SiC diode/transistor, Power dissipation: 625W, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APTC60TAM21SCTPAG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| APTC60TAM21SCTPAG | Виробник : Microsemi Power Products Group |
Description: MOSFET 6N-CH 600V 116A SP6-P |
товару немає в наявності |
||
| APTC60TAM21SCTPAG | Виробник : Microchip / Microsemi |
Discrete Semiconductor Modules DOR CC6537 |
товару немає в наявності |
||
 |
APTC60TAM21SCTPAG | Виробник : Microchip Technology |
Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-COOLMOS-SBD-SP6P |
товару немає в наявності |
|
| APTC60TAM21SCTPAG | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; SiC diode/transistor; 600V; 87A; SP6P; Press-in PCB; 625W Case: SP6P Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Technology: CoolMOS™; SiC Gate-source voltage: ±20V Topology: MOSFET x3 half-bridge; NTC thermistor Pulsed drain current: 400A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Drain-source voltage: 600V Drain current: 87A On-state resistance: 21mΩ Semiconductor structure: SiC diode/transistor Power dissipation: 625W |
товару немає в наявності |