Технічний опис APTC60VDAM45T1G MICROCHIP TECHNOLOGY
Description: MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1, Packaging: Tray, Package / Case: SP1, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 250W, Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA, Supplier Device Package: SP1.
Інші пропозиції APTC60VDAM45T1G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| APTC60VDAM45T1G | Виробник : MICROSEMI |
 SP1/49 A, 600 V, 0.045 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET APTC60VDAM45кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
| APTC60VDAM45T1G | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1 Packaging: Tray Package / Case: SP1 Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250W Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA Supplier Device Package: SP1 |
товару немає в наявності |
||
| APTC60VDAM45T1G | Виробник : Microchip Technology |
MOSFET Modules PM-MOSFET-COOLMOS-SP1 |
товару немає в наявності |