APTC60VDAM45T1G MICROSEMI
Виробник: MICROSEMI
SP1/49 A, 600 V, 0.045 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET APTC60VDAM45
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APTC60VDAM45T1G MICROSEMI
Description: MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1, Supplier Device Package: SP1, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.5A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200pF @ 25V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A, Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Power - Max: 250W, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: SP1, Packaging: Tray.
Інші пропозиції APTC60VDAM45T1G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| APTC60VDAM45T1G | Microchip Technology |
Description: MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1 Supplier Device Package: SP1 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Power - Max: 250W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SP1 Packaging: Tray |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 14 шт В кошику од. на суму грн. | |
| APTC60VDAM45T1G | Microchip Technology |
MOSFET Modules PM-MOSFET-COOLMOS-SP1 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 14 шт В кошику од. на суму грн. |
| APTC60VDAM45T1G |
|
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1
Supplier Device Package: SP1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A
Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
Power - Max: 250W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SP1
Packaging: Tray
Description: MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1
Supplier Device Package: SP1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A
Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
Power - Max: 250W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SP1
Packaging: Tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику
од. на суму грн.
| APTC60VDAM45T1G |
|
Виробник: Microchip Technology
MOSFET Modules PM-MOSFET-COOLMOS-SP1
MOSFET Modules PM-MOSFET-COOLMOS-SP1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику
од. на суму грн.