APTC80A10SCTG

APTC80A10SCTG Microchip Technology


5827363-aptc80a10sctg-rev3-pdf.pdf Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 800V 42A 20-Pin Case SP-4 Tube
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APTC80A10SCTG Microchip Technology

Description: MOSFET 2N-CH 800V 42A SP4, Packaging: Bulk, Package / Case: SP4, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 416W, Drain to Source Voltage (Vdss): 800V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6761pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 21A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA, Supplier Device Package: SP4.

Інші пропозиції APTC80A10SCTG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
APTC80A10SCTG Виробник : Microchip Technology High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf Description: MOSFET 2N-CH 800V 42A SP4
Packaging: Bulk
Package / Case: SP4
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 416W
Drain to Source Voltage (Vdss): 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6761pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 21A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA
Supplier Device Package: SP4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APTC80A10SCTG Виробник : Microchip Technology mppgs02371_1-2275070.pdf Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-COOLMOS-SBD-SP4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.