Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > APTC80H29T3G

APTC80H29T3G Microchip Technology

High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET 4N-CH 800V 15A SP3
Packaging: Bulk
Package / Case: SP3
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 156W
Drain to Source Voltage (Vdss): 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2254pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: SP3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APTC80H29T3G Microchip Technology

Description: MOSFET 4N-CH 800V 15A SP3, Packaging: Bulk, Package / Case: SP3, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 156W, Drain to Source Voltage (Vdss): 800V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2254pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 7.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA, Supplier Device Package: SP3.

Інші пропозиції APTC80H29T3G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
APTC80H29T3G Microchip Technology msco_s_a0003943267_1-2275510.pdf MOSFET Modules PM-MOSFET-COOLMOS-SP3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APTC80H29T3G MICROCHIP TECHNOLOGY High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf Category: Transistor modules
Description: Module; transistor/transistor; 800V; 11A; SP3; Press-in PCB; 156W
Drain current: 11A
Drain-source voltage: 800V
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-source voltage: ±30V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: SP3
On-state resistance: 0.29Ω
Topology: H-bridge; NTC thermistor
Pulsed drain current: 60A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Power dissipation: 156W
Technology: SJ-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APTC80H29T3G msco_s_a0003943267_1-2275510.pdf
Виробник: Microchip Technology
MOSFET Modules PM-MOSFET-COOLMOS-SP3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APTC80H29T3G High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Transistor modules
Description: Module; transistor/transistor; 800V; 11A; SP3; Press-in PCB; 156W
Drain current: 11A
Drain-source voltage: 800V
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-source voltage: ±30V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: SP3
On-state resistance: 0.29Ω
Topology: H-bridge; NTC thermistor
Pulsed drain current: 60A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Power dissipation: 156W
Technology: SJ-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.