Технічний опис APTCV40H60CT1G Microchip Technology
Description: IGBT MODULE 600V 80A 176W SP1, Packaging: Bulk, Package / Case: SP1, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Full Bridge, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: SP1, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Power - Max: 176 W, Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.15 nF @ 25 V.
Інші пропозиції APTCV40H60CT1G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| APTCV40H60CT1G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
 APTCV40H60CT1G Transistor modules MOSFET |
товару немає в наявності |
||
| APTCV40H60CT1G | Виробник : Microchip Technology |
Description: IGBT MODULE 600V 80A 176W SP1 Packaging: Bulk Package / Case: SP1 Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Full Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: SP1 IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 176 W Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.15 nF @ 25 V |
товару немає в наявності |
||
| APTCV40H60CT1G | Виробник : Microchip Technology |
Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-COOLMOS-SBD-SP1 |
товару немає в наявності |