APTCV60HM45BT3G Microchip Technology


123996-aptcv60hm45bt3g-rev2-pdf
Виробник: Microchip Technology
Description: IGBT MODULE 600V 50A 250W SP3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APTCV60HM45BT3G Microchip Technology

Category: Transistor modules, Description: Module; diode/transistor; 600V; 38A; SP3F; Press-in PCB; Idm: 130A, Type of semiconductor module: MOSFET transistor, Semiconductor structure: diode/transistor, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 38A, Case: SP3F, Topology: boost chopper; H-bridge; NTC thermistor, Electrical mounting: Press-in PCB, On-state resistance: 45mΩ, Pulsed drain current: 130A, Power dissipation: 250W, Technology: CoolMOS™; Field Stop; Trench, Gate-source voltage: ±20V, Mechanical mounting: screw.

Інші пропозиції APTCV60HM45BT3G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
APTCV60HM45BT3G Microsemi APTCV60HM45BT3G-Rev2-600613.pdf Discrete Semiconductor Modules Power Module - Coolmos
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APTCV60HM45BT3G MICROCHIP TECHNOLOGY 123996-aptcv60hm45bt3g-rev2-pdf Category: Transistor modules
Description: Module; diode/transistor; 600V; 38A; SP3F; Press-in PCB; Idm: 130A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: diode/transistor
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
Case: SP3F
Topology: boost chopper; H-bridge; NTC thermistor
Electrical mounting: Press-in PCB
On-state resistance: 45mΩ
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 250W
Technology: CoolMOS™; Field Stop; Trench
Gate-source voltage: ±20V
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APTCV60HM45BT3G APTCV60HM45BT3G-Rev2-600613.pdf
Виробник: Microsemi
Discrete Semiconductor Modules Power Module - Coolmos
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APTCV60HM45BT3G 123996-aptcv60hm45bt3g-rev2-pdf
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Transistor modules
Description: Module; diode/transistor; 600V; 38A; SP3F; Press-in PCB; Idm: 130A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: diode/transistor
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
Case: SP3F
Topology: boost chopper; H-bridge; NTC thermistor
Electrical mounting: Press-in PCB
On-state resistance: 45mΩ
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 250W
Technology: CoolMOS™; Field Stop; Trench
Gate-source voltage: ±20V
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.