APTCV60HM45BT3G

APTCV60HM45BT3G Microsemi Power Products Group


123996-aptcv60hm45bt3g-rev2-pdf Виробник: Microsemi Power Products Group
Description: POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3
на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APTCV60HM45BT3G Microsemi Power Products Group

Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; diode/transistor; 600V; 38A; SP3F; Press-in PCB; Idm: 130A, Case: SP3F, Semiconductor structure: diode/transistor, Type of semiconductor module: MOSFET transistor, Mechanical mounting: screw, On-state resistance: 45mΩ, Power dissipation: 250W, Gate-source voltage: ±20V, Drain current: 38A, Pulsed drain current: 130A, Drain-source voltage: 600V, Topology: boost chopper; H-bridge; NTC thermistor, Technology: CoolMOS™; Field Stop; Trench, Electrical mounting: Press-in PCB.

Інші пропозиції APTCV60HM45BT3G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
APTCV60HM45BT3G APTCV60HM45BT3G Виробник : Microchip Technology 298123996-aptcv60hm45bt3g-rev2-pdf.pdf Power Module 22-Pin Case SP-3 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APTCV60HM45BT3G Виробник : Microsemi APTCV60HM45BT3G-Rev2-600613.pdf Discrete Semiconductor Modules Power Module - Coolmos
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APTCV60HM45BT3G Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY 123996-aptcv60hm45bt3g-rev2-pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 600V; 38A; SP3F; Press-in PCB; Idm: 130A
Case: SP3F
Semiconductor structure: diode/transistor
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
On-state resistance: 45mΩ
Power dissipation: 250W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 38A
Pulsed drain current: 130A
Drain-source voltage: 600V
Topology: boost chopper; H-bridge; NTC thermistor
Technology: CoolMOS™; Field Stop; Trench
Electrical mounting: Press-in PCB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.