APTDF200H60G Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 270A SP6
Current - Reverse Leakage @ Vr: 350 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 200 A
Current - Average Rectified (Io): 270 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Supplier Device Package: SP6
Technology: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SP6
Packaging: Bulk
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APTDF200H60G Microchip Technology
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 270A SP6, Current - Reverse Leakage @ Vr: 350 µA @ 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 200 A, Current - Average Rectified (Io): 270 A, Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V, Supplier Device Package: SP6, Technology: Standard, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Diode Type: Single Phase, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: SP6, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції APTDF200H60G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APTDF200H60G | Microchip Technology |
Diode Modules PM-DIODE-FRED-DQ-SP6C |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| APTDF200H60G |
|
Виробник: Microchip Technology
Diode Modules PM-DIODE-FRED-DQ-SP6C
Diode Modules PM-DIODE-FRED-DQ-SP6C
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)