Продукція > MICROSEMI > APTDF30H601G

APTDF30H601G MICROSEMI


APTDF30H601G-Rev3.pdf
Виробник: MICROSEMI
SP1/POWER MODULE - DIODE APTDF30H60
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APTDF30H601G MICROSEMI

Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 42A SP1, Packaging: Bulk, Package / Case: SP1, Mounting Type: Chassis Mount, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: SP1, Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V, Current - Average Rectified (Io): 42 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 30 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 600 V.

Інші пропозиції APTDF30H601G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
APTDF30H601G Виробник : Microchip Technology APTDF30H601G-Rev3.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 42A SP1
Packaging: Bulk
Package / Case: SP1
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: SP1
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 42 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APTDF30H601G APTDF30H601G Виробник : Microchip Technology APTDF30H601G-Rev3.pdf Diode Modules PM-DIODE-FRED-DQ-SP1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.