Продукція > MICROSEMI > APTGF25H120T1G

APTGF25H120T1G MICROSEMI

Виробник: MICROSEMI
SP1/Full - Bridge NPT IGBT Power Module APTGF25H120
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Технічний опис APTGF25H120T1G MICROSEMI

Description: IGBT MODULE 1200V 40A 208W SP1, Configuration: Full Bridge Inverter, Input: Standard, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: SP1, Packaging: Bulk, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.65 nF @ 25 V, Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA, Power - Max: 208 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, IGBT Type: NPT, Supplier Device Package: SP1, NTC Thermistor: Yes, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A.

Інші пропозиції APTGF25H120T1G

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	APTGF25H120T1G	Microchip Technology	Description: IGBT MODULE 1200V 40A 208W SP1 Configuration: Full Bridge Inverter Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SP1 Packaging: Bulk Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.65 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA Power - Max: 208 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 40 A IGBT Type: NPT Supplier Device Package: SP1 NTC Thermistor: Yes Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн.

APTGF25H120T1G

Виробник: Microchip Technology
Description: IGBT MODULE 1200V 40A 208W SP1
Configuration: Full Bridge Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SP1
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.65 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Power - Max: 208 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
IGBT Type: NPT
Supplier Device Package: SP1
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 50 шт

В кошику од. на суму грн.