APTGF25H120T1G Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: IGBT MODULE 1200V 40A 208W SP1
Configuration: Full Bridge Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SP1
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.65 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Power - Max: 208 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
IGBT Type: NPT
Supplier Device Package: SP1
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APTGF25H120T1G Microchip Technology
Description: IGBT MODULE 1200V 40A 208W SP1, Configuration: Full Bridge Inverter, Input: Standard, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: SP1, Packaging: Bulk, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.65 nF @ 25 V, Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA, Power - Max: 208 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, IGBT Type: NPT, Supplier Device Package: SP1, NTC Thermistor: Yes, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A.
Інші пропозиції APTGF25H120T1G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| APTGF25H120T1G | MICROSEMI |
SP1/Full - Bridge NPT IGBT Power Module APTGF25H120 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |