APTGF50DH120T3G Microchip / Microsemi
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APTGF50DH120T3G Microchip / Microsemi
Description: IGBT MODULE 1200V 70A 312W SP3, Packaging: Bulk, Package / Case: SP3, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Asymmetrical Bridge, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: SP3, IGBT Type: NPT, Current - Collector (Ic) (Max): 70 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 312 W, Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.45 nF @ 25 V.
Інші пропозиції APTGF50DH120T3G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
APTGF50DH120T3G Код товару: 154489
Додати до обраних
Обраний товар
|
 Транзистори > IGBT |
товару немає в наявності
|
|||
| APTGF50DH120T3G | Виробник : Microchip Technology |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 70A 312mW 16-Pin Case SP-3 |
товару немає в наявності |
||
| APTGF50DH120T3G | Виробник : Microchip Technology |
Description: IGBT MODULE 1200V 70A 312W SP3 Packaging: Bulk Package / Case: SP3 Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Asymmetrical Bridge Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: SP3 IGBT Type: NPT Current - Collector (Ic) (Max): 70 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 312 W Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.45 nF @ 25 V |
товару немає в наявності |