Продукція > MICROSEMI > APTGF50H60T3G
APTGF50H60T3G

APTGF50H60T3G Microsemi


59849 Виробник: Microsemi
IGBT Modules Power Module - IGBT
на замовлення 26 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APTGF50H60T3G Microsemi

Description: IGBT MODULE 600V 65A 250W SP3, Packaging: Bulk, Package / Case: SP3, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Full Bridge Inverter, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: SP3, IGBT Type: NPT, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 65 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Power - Max: 250 W, Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.2 nF @ 25 V.

Інші пропозиції APTGF50H60T3G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
APTGF50H60T3G APTGF50H60T3G Виробник : Microchip Technology 7067571-aptgf50h60t3g-rev2-pdf.pdf Trans IGBT Module N-CH 600V 65A 250mW 32-Pin Case SP-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APTGF50H60T3G APTGF50H60T3G Виробник : Microchip Technology APTGF50H60T3G.pdf Description: IGBT MODULE 600V 65A 250W SP3
Packaging: Bulk
Package / Case: SP3
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge Inverter
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: SP3
IGBT Type: NPT
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 65 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 250 W
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.2 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.