Продукція > MICROSEMI > APTGF90A60T1G

APTGF90A60T1G Microsemi

APTGF90A60T1G-Rev1-601759.pdf
Виробник: Microsemi
IGBT Modules Power Module - IGBT
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APTGF90A60T1G Microsemi

Description: IGBT MODULE 600V 110A 416W SP1, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.3 nF @ 25 V, Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA, Power - Max: 416 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector (Ic) (Max): 110 A, IGBT Type: NPT, Supplier Device Package: SP1, NTC Thermistor: Yes, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A, Configuration: Half Bridge, Input: Standard, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: SP1, Packaging: Bulk.

Інші пропозиції APTGF90A60T1G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
APTGF90A60T1G APTGF90A60T1G Microchip Technology APTGF90A60T1G.pdf Description: IGBT MODULE 600V 110A 416W SP1
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.3 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Power - Max: 416 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 110 A
IGBT Type: NPT
Supplier Device Package: SP1
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SP1
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APTGF90A60T1G APTGF90A60T1G.pdf
APTGF90A60T1G
Виробник: Microchip Technology
Description: IGBT MODULE 600V 110A 416W SP1
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.3 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Power - Max: 416 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 110 A
IGBT Type: NPT
Supplier Device Package: SP1
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SP1
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.