на замовлення 10 шт:
термін постачання 524-533 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 20576.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APTGL475U120DAG Microchip Technology
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 475A; SP6C; screw, Type of semiconductor module: IGBT, Semiconductor structure: diode/transistor, Topology: single transistor + series diode, Max. off-state voltage: 1.2kV, Collector current: 475A, Case: SP6C, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 800A, Technology: Field Stop; Trench, Mechanical mounting: screw.
Інші пропозиції APTGL475U120DAG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| APTGL475U120DAG | Виробник : MICROSEMI |
SP6CTRENCH 4 IGBTкількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
|
|
APTGL475U120DAG | Виробник : Microchip Technology |
Description: IGBT MODULE 1200V 610A 2307W SP6 |
товару немає в наявності |
|
| APTGL475U120DAG | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 475A; SP6C; screw Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Topology: single transistor + series diode Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 475A Case: SP6C Electrical mounting: FASTON connectors; screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 800A Technology: Field Stop; Trench Mechanical mounting: screw |
товару немає в наявності |
