Технічний опис APTGL60H120T3G Microchip Technology
Description: IGBT MODULE 1200V 80A 280W SP3, Packaging: Bulk, Package / Case: SP3, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Full Bridge, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 50A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: SP3, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 280 W, Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.77 nF @ 25 V.
Інші пропозиції APTGL60H120T3G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| APTGL60H120T3G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
 APTGL60H120T3G IGBT modules |
товару немає в наявності |
||
| APTGL60H120T3G | Виробник : MICROSEMI |
Full bridge Trench + Field Stop IGBT4 Power module APTGL60 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
| APTGL60H120T3G | Виробник : Microchip Technology |
Description: IGBT MODULE 1200V 80A 280W SP3 Packaging: Bulk Package / Case: SP3 Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Full Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 50A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: SP3 IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 280 W Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.77 nF @ 25 V |
товару немає в наявності |
||
| APTGL60H120T3G | Виробник : Microchip / Microsemi |
IGBT Modules CC3142 |
товару немає в наявності |