Технічний опис APTGL90A120T1G MICROCHIP TECHNOLOGY
Description: IGBT MODULE 1200V 110A 385W SP1, Packaging: Bulk, Package / Case: SP1, Mounting Type: Through Hole, Input: Standard, Configuration: Half Bridge, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: SP1, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 110 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 385 W, Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.4 nF @ 25 V.
Інші пропозиції APTGL90A120T1G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
APTGL90A120T1G | Виробник : Microchip Technology |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: SP1 Mounting Type: Through Hole Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: SP1 IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 110 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 385 W Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.4 nF @ 25 V |
товару немає в наявності |
||
APTGL90A120T1G | Виробник : Microchip / Microsemi |
![]() |
товару немає в наявності |
||
APTGL90A120T1G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |