Технічний опис APTGLQ150H120G Microchip Technology
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1.2kV; SP6C, Type of semiconductor module: IGBT, Semiconductor structure: transistor/transistor, Topology: H-bridge, Max. off-state voltage: 1.2kV, Collector current: 150A, Case: SP6C, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 480A, Technology: Field Stop; Trench, Mechanical mounting: screw.
Інші пропозиції APTGLQ150H120G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| APTGLQ150H120G | Виробник : Microchip Technology |
 Description: IGBT MODULE 1200V 250A 750W SP6 |
товару немає в наявності |
||
 |
APTGLQ150H120G | Виробник : Microchip / Microsemi |
IGBT Modules CC6256 |
товару немає в наявності |
|
| APTGLQ150H120G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1.2kV; SP6C Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: H-bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 150A Case: SP6C Electrical mounting: FASTON connectors; screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 480A Technology: Field Stop; Trench Mechanical mounting: screw |
товару немає в наявності |