Технічний опис APTGLQ200H120G Microchip Technology
Description: IGBT MODULE 1200V 350A 1000W SP6, Packaging: Bulk, Package / Case: SP6, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Full Bridge, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 200A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: SP6, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 350 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 1000 W, Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12.3 nF @ 25 V.
Інші пропозиції APTGLQ200H120G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
APTGLQ200H120G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
APTGLQ200H120G | Виробник : Microchip Technology |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: SP6 Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Full Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: SP6 IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 350 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1000 W Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12.3 nF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
APTGLQ200H120G | Виробник : Microchip / Microsemi |
![]() |
товару немає в наявності |