APTGLQ200H120G

APTGLQ200H120G Microchip Technology


1198125286-aptglq200h120g-0-pdf.pdf Виробник: Microchip Technology
Trans IGBT Module N-CH 1200V 350A 1000mW Tube
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APTGLQ200H120G Microchip Technology

Description: IGBT MODULE 1200V 350A 1000W SP6, Packaging: Bulk, Package / Case: SP6, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Full Bridge, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 200A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: SP6, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 350 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 1000 W, Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12.3 nF @ 25 V.

Інші пропозиції APTGLQ200H120G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
APTGLQ200H120G Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY 125286-aptglq200h120g-datasheet APTGLQ200H120G IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APTGLQ200H120G APTGLQ200H120G Виробник : Microchip Technology 125286-aptglq200h120g-datasheet Description: IGBT MODULE 1200V 350A 1000W SP6
Packaging: Bulk
Package / Case: SP6
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SP6
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 350 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1000 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12.3 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APTGLQ200H120G Виробник : Microchip / Microsemi 125286-aptglq200h120g-datasheet IGBT Modules CC6228
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.