на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 5523.28 грн |
| 100+ | 4719.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APTGLQ25H120T1G Microchip Technology
Description: IGBT MODULE 1200V 50A 165W SP1, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Full Bridge, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.42V @ 15V, 25A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: SP1, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 165 W, Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.43 nF @ 25 V.
Інші пропозиції APTGLQ25H120T1G за ціною від 5155.71 грн до 5155.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| APTGLQ25H120T1G | Виробник : Microchip Technology |
 Description: IGBT MODULE 1200V 50A 165W SP1Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Full Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.42V @ 15V, 25A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: SP1 IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 165 W Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.43 nF @ 25 V |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
 |
APTGLQ25H120T1G | Виробник : Microchip Technology |
Full - Bridge High speed Trench + Field Stop IGBT4 Power Module |
товару немає в наявності |
|||||
 |
APTGLQ25H120T1G | Виробник : Microchip Technology |
Full - Bridge High speed Trench + Field Stop IGBT4 Power Module |
товару немає в наявності |
|||||
| APTGLQ25H120T1G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1.2kV; SP1 Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: H-bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 25A Case: SP1 Electrical mounting: Press-in PCB Technology: Field Stop; Trench Mechanical mounting: screw |
товару немає в наявності |