APTGLQ300H65G Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: IGBT MODULE 650V 600A 1000W SP6
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.3 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Power - Max: 1000 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 A
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: SP6
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 300A
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: Full Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SP6
Packaging: Bulk
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APTGLQ300H65G Microchip Technology
Description: IGBT MODULE 650V 600A 1000W SP6, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.3 nF @ 25 V, Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA, Power - Max: 1000 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector (Ic) (Max): 600 A, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: SP6, NTC Thermistor: No, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 300A, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Configuration: Full Bridge, Input: Standard, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: SP6, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції APTGLQ300H65G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| APTGLQ300H65G | Microsemi |
IGBT Modules Power Module - IGBT |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| APTGLQ300H65G |
![]() |
Виробник: Microsemi
IGBT Modules Power Module - IGBT
IGBT Modules Power Module - IGBT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.

