APTGLQ80HR120CT3G Microsemi Power Products Group
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APTGLQ80HR120CT3G Microsemi Power Products Group
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common emitter; Urmax: 1.2kV, Mechanical mounting: screw, Type of semiconductor module: IGBT, Case: SP3F, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 320A, Max. off-state voltage: 1.2kV, Collector current: 80A, Topology: 3-level inverter TNPC, Technology: Field Stop; Trench, Semiconductor structure: common emitter; transistor/transistor, Electrical mounting: Press-in PCB.
Інші пропозиції APTGLQ80HR120CT3G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| APTGLQ80HR120CT3G | Виробник : Microchip Technology |
 IGBT Modules PM-IGBT-TFS-SBD-SP3F |
товару немає в наявності |
||
| APTGLQ80HR120CT3G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common emitter; Urmax: 1.2kV Mechanical mounting: screw Type of semiconductor module: IGBT Case: SP3F Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 320A Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 80A Topology: 3-level inverter TNPC Technology: Field Stop; Trench Semiconductor structure: common emitter; transistor/transistor Electrical mounting: Press-in PCB |
товару немає в наявності |