APTGLQ80HR120CT3G MICROCHIP TECHNOLOGY

Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common emitter; Urmax: 1.2kV
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: common emitter; transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 320A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Topology: 3-level inverter TNPC
Case: SP3F
кількість в упаковці: 9 шт
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APTGLQ80HR120CT3G MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common emitter; Urmax: 1.2kV, Max. off-state voltage: 1.2kV, Semiconductor structure: common emitter; transistor/transistor, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 80A, Pulsed collector current: 320A, Electrical mounting: Press-in PCB, Mechanical mounting: screw, Type of module: IGBT, Technology: Field Stop; Trench, Topology: 3-level inverter TNPC, Case: SP3F, кількість в упаковці: 9 шт.
Інші пропозиції APTGLQ80HR120CT3G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
APTGLQ80HR120CT3G | Виробник : Microsemi Power Products Group |
![]() |
товару немає в наявності |
||
APTGLQ80HR120CT3G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
||
APTGLQ80HR120CT3G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common emitter; Urmax: 1.2kV Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: common emitter; transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 80A Pulsed collector current: 320A Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: Field Stop; Trench Topology: 3-level inverter TNPC Case: SP3F |
товару немає в наявності |