APTGT100DH60TG Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: IGBT MODULE 600V 150A 340W SP4
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.1 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Power - Max: 340 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: SP4
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: Asymmetrical Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SP4
Packaging: Bulk
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APTGT100DH60TG Microchip Technology
Description: IGBT MODULE 600V 150A 340W SP4, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.1 nF @ 25 V, Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA, Power - Max: 340 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector (Ic) (Max): 150 A, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: SP4, NTC Thermistor: Yes, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Configuration: Asymmetrical Bridge, Input: Standard, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: SP4, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції APTGT100DH60TG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| APTGT100DH60TG | Microsemi |
IGBT Modules Power Module - IGBT |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| APTGT100DH60TG |
![]() |
Виробник: Microsemi
IGBT Modules Power Module - IGBT
IGBT Modules Power Module - IGBT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.

