Технічний опис APTGT100H170G MICROCHIP TECHNOLOGY
Description: IGBT MODULE 1700V 150A 560W SP6, Packaging: Bulk, Package / Case: SP6, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Full Bridge Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: SP6, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 150 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Power - Max: 560 W, Current - Collector Cutoff (Max): 350 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9 nF @ 25 V.
Інші пропозиції APTGT100H170G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| APTGT100H170G | Виробник : Microchip Technology |
 Trans IGBT Module N-CH 1700V 150A 560mW 12-Pin Case SP-6 Tube |
товару немає в наявності |
||
| APTGT100H170G | Виробник : MICROSEMI |
SP6/Full - Bridge Trench + Field Stop IGBT Power Module APTGT100H170 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
| APTGT100H170G | Виробник : Microchip Technology |
Description: IGBT MODULE 1700V 150A 560W SP6 Packaging: Bulk Package / Case: SP6 Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Full Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: SP6 IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 560 W Current - Collector Cutoff (Max): 350 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9 nF @ 25 V |
товару немає в наявності |
||
| APTGT100H170G | Виробник : Microsemi |
IGBT Modules Power Module - IGBT |
товару немає в наявності |