Технічний опис APTGT100H60T3G Microchip Technology
Description: IGBT MODULE 600V 150A 340W SP3, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.1 nF @ 25 V, Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA, Power - Max: 340 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector (Ic) (Max): 150 A, Part Status: Active, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: SP3, NTC Thermistor: Yes, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Configuration: Full Bridge Inverter, Input: Standard, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: SP3, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції APTGT100H60T3G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
APTGT100H60T3G | Microchip / Microsemi |
IGBT Modules DOR CC3006 |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| APTGT100H60T3G |
![]() |
Виробник: Microchip / Microsemi
IGBT Modules DOR CC3006
IGBT Modules DOR CC3006
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)



