Технічний опис APTGT150DA60T1G Microsemi
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper,NTC thermistor, Type of semiconductor module: IGBT, Mechanical mounting: screw, Collector current: 150A, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 350A, Max. off-state voltage: 0.6kV, Technology: Field Stop; Trench, Topology: boost chopper; NTC thermistor, Case: SP1, Semiconductor structure: diode/transistor, Electrical mounting: Press-in PCB, Application: motors.
Інші пропозиції APTGT150DA60T1G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
APTGT150DA60T1G | Виробник : Microchip Technology |
Description: IGBT MODULE 600V 225A 480W SP1 |
товару немає в наявності |
|
| APTGT150DA60T1G | Виробник : Microchip Technology |
IGBT Modules PM-IGBT-TFS-SP1 |
товару немає в наявності |
||
| APTGT150DA60T1G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper,NTC thermistor Type of semiconductor module: IGBT Mechanical mounting: screw Collector current: 150A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 350A Max. off-state voltage: 0.6kV Technology: Field Stop; Trench Topology: boost chopper; NTC thermistor Case: SP1 Semiconductor structure: diode/transistor Electrical mounting: Press-in PCB Application: motors |
товару немає в наявності |
