APTGT150DH170G MICROCHIP (MICROSEMI)
Виробник: MICROCHIP (MICROSEMI)Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; asymmetrical bridge; Urmax: 1.7kV
Case: SP6C
Max. off-state voltage: 1.7kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 300A
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Topology: asymmetrical bridge
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APTGT150DH170G MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; asymmetrical bridge; Urmax: 1.7kV, Case: SP6C, Max. off-state voltage: 1.7kV, Semiconductor structure: diode/transistor, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 150A, Pulsed collector current: 300A, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Mechanical mounting: screw, Type of module: IGBT, Technology: Field Stop; Trench, Topology: asymmetrical bridge, кількість в упаковці: 5 шт.
Інші пропозиції APTGT150DH170G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| APTGT150DH170G | Виробник : Microsemi Power Products Group |
Description: IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6 |
товар відсутній |
||
| APTGT150DH170G | Виробник : Microsemi |
IGBT Modules Power Module - IGBT |
товар відсутній |
||
| APTGT150DH170G | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; asymmetrical bridge; Urmax: 1.7kV Case: SP6C Max. off-state voltage: 1.7kV Semiconductor structure: diode/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 150A Pulsed collector current: 300A Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: Field Stop; Trench Topology: asymmetrical bridge |
товар відсутній |