Технічний опис APTGT150DH60TG Microchip Technology
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; asymmetrical bridge; Urmax: 600V, Type of semiconductor module: IGBT, Mechanical mounting: screw, Collector current: 150A, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 350A, Max. off-state voltage: 0.6kV, Technology: Field Stop; Trench, Topology: asymmetrical bridge; NTC thermistor, Case: SP4, Semiconductor structure: diode/transistor, Electrical mounting: FASTON connectors; soldering.
Інші пропозиції APTGT150DH60TG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| APTGT150DH60TG | Виробник : Microchip Technology |
 Description: IGBT MODULE 600V 225A 480W SP4 |
товару немає в наявності |
||
| APTGT150DH60TG | Виробник : Microchip / Microsemi |
IGBT Modules DOR CC4108 |
товару немає в наявності |
||
| APTGT150DH60TG | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; asymmetrical bridge; Urmax: 600V Type of semiconductor module: IGBT Mechanical mounting: screw Collector current: 150A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 350A Max. off-state voltage: 0.6kV Technology: Field Stop; Trench Topology: asymmetrical bridge; NTC thermistor Case: SP4 Semiconductor structure: diode/transistor Electrical mounting: FASTON connectors; soldering |
товару немає в наявності |