Технічний опис APTGT200DA120G Microchip Technology
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; SP6C, Max. off-state voltage: 1.2kV, Semiconductor structure: diode/transistor, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 200A, Pulsed collector current: 400A, Application: motors, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Mechanical mounting: screw, Type of module: IGBT, Technology: Field Stop; Trench, Topology: boost chopper, Case: SP6C, кількість в упаковці: 7 шт.
Інші пропозиції APTGT200DA120G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| APTGT200DA120G | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
 Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; SP6C Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: diode/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 200A Pulsed collector current: 400A Application: motors Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: Field Stop; Trench Topology: boost chopper Case: SP6C кількість в упаковці: 7 шт |
товар відсутній |
||
| APTGT200DA120G | Виробник : Microchip Technology |
Description: IGBT MODULE 1200V 280A 890W SP6 |
товар відсутній |
||
| APTGT200DA120G | Виробник : Microsemi |
IGBT Modules Power Module - IGBT |
товар відсутній |
||
| APTGT200DA120G | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; SP6C Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: diode/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 200A Pulsed collector current: 400A Application: motors Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: Field Stop; Trench Topology: boost chopper Case: SP6C |
товар відсутній |