APTGT200DA60T3AG Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: IGBT MODULE 600V 290A 750W SP3
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12.3 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Power - Max: 750 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 290 A
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: SP3
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SP3
Packaging: Bulk
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APTGT200DA60T3AG Microchip Technology
Description: IGBT MODULE 600V 290A 750W SP3, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12.3 nF @ 25 V, Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA, Power - Max: 750 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector (Ic) (Max): 290 A, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: SP3, NTC Thermistor: Yes, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Configuration: Single, Input: Standard, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: SP3, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції APTGT200DA60T3AG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| APTGT200DA60T3AG | Microsemi |
IGBT Modules Power Module - IGBT |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| APTGT200DA60T3AG |
![]() |
Виробник: Microsemi
IGBT Modules Power Module - IGBT
IGBT Modules Power Module - IGBT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.

