APTGT200H60G Microchip Technology


APTGT200H60G.pdf
Виробник: Microchip Technology
Description: IGBT MODULE 600V 290A 625W SP6
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12.3 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Power - Max: 625 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 290 A
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: SP6
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: Full Bridge Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SP6
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APTGT200H60G Microchip Technology

Description: IGBT MODULE 600V 290A 625W SP6, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12.3 nF @ 25 V, Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA, Power - Max: 625 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector (Ic) (Max): 290 A, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: SP6, NTC Thermistor: No, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Configuration: Full Bridge Inverter, Input: Standard, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: SP6, Packaging: Bulk.

Інші пропозиції APTGT200H60G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
APTGT200H60G Microsemi APTGT200H60G-Rev2-601960.pdf IGBT Modules Power Module - IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APTGT200H60G APTGT200H60G-Rev2-601960.pdf
Виробник: Microsemi
IGBT Modules Power Module - IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.