Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > APTGT300A120D3G

APTGT300A120D3G MICROCHIP TECHNOLOGY

Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 600A
Application: motors
Technology: Field Stop; Trench
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Case: D3
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
кількість в упаковці: 4 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис APTGT300A120D3G MICROCHIP TECHNOLOGY

Description: IGBT MODULE 1200V 440A 1250W D3, Packaging: Bulk, Package / Case: D-3 Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Half Bridge, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: D3, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 440 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 1250 W, Current - Collector Cutoff (Max): 8 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 20 nF @ 25 V.

Інші пропозиції APTGT300A120D3G

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
APTGT300A120D3G	Виробник : Microchip Technology	Trans IGBT Module N-CH 1200V 440A 1450W 7-Pin Case D-3 Box	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APTGT300A120D3G	Виробник : MICROSEMI	D3 кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APTGT300A120D3G	Виробник : Microchip Technology	Description: IGBT MODULE 1200V 440A 1250W D3 Packaging: Bulk Package / Case: D-3 Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: D3 IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 440 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1250 W Current - Collector Cutoff (Max): 8 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 20 nF @ 25 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APTGT300A120D3G	Виробник : Microsemi	IGBT Modules Power Module - IGBT	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APTGT300A120D3G	Виробник : Microchip Technology	IGBT Modules PM-IGBT-TFS-D3	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APTGT300A120D3G	Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY	Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Pulsed collector current: 600A Application: motors Technology: Field Stop; Trench Topology: IGBT half-bridge Type of semiconductor module: IGBT Case: D3 Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 300A	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.