APTGT300A120G MICROCHIP (MICROSEMI)


index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=7806 Виробник: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Topology: IGBT half-bridge
Technology: Field Stop; Trench
Case: SP6C
Application: motors
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Gate-emitter voltage: ±20V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
кількість в упаковці: 4 шт
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APTGT300A120G MICROCHIP (MICROSEMI)

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A, Topology: IGBT half-bridge, Technology: Field Stop; Trench, Case: SP6C, Application: motors, Collector current: 300A, Pulsed collector current: 600A, Gate-emitter voltage: ±20V, Semiconductor structure: transistor/transistor, Max. off-state voltage: 1.2kV, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Mechanical mounting: screw, Type of module: IGBT, кількість в упаковці: 4 шт.

Інші пропозиції APTGT300A120G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
APTGT300A120G Виробник : Microsemi Power Products Group index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=7806 Description: IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP6
товар відсутній
APTGT300A120G Виробник : Microsemi 7806-aptgt300a120g-rev2-pdf IGBT Modules Power Module - IGBT
товар відсутній
APTGT300A120G Виробник : Microchip Technology index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=7806 IGBT Modules PM-IGBT-TFS-SP6C
товар відсутній
APTGT300A120G Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=7806 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Topology: IGBT half-bridge
Technology: Field Stop; Trench
Case: SP6C
Application: motors
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Gate-emitter voltage: ±20V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
товар відсутній