APTGT300DH60G MICROCHIP (MICROSEMI)
Виробник: MICROCHIP (MICROSEMI)Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; asymmetrical bridge; Urmax: 600V
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: asymmetrical bridge
Max. off-state voltage: 0.6kV
Collector current: 300A
Case: SP6C
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 500A
Technology: Field Stop; Trench
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APTGT300DH60G MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; asymmetrical bridge; Urmax: 600V, Type of module: IGBT, Semiconductor structure: diode/transistor, Topology: asymmetrical bridge, Max. off-state voltage: 0.6kV, Collector current: 300A, Case: SP6C, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 500A, Technology: Field Stop; Trench, Mechanical mounting: screw, кількість в упаковці: 5 шт.
Інші пропозиції APTGT300DH60G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| APTGT300DH60G | Виробник : Microsemi Power Products Group |
Description: IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6 |
товар відсутній |
||
| APTGT300DH60G | Виробник : Microsemi |
IGBT Modules Power Module - IGBT |
товар відсутній |
||
| APTGT300DH60G | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; asymmetrical bridge; Urmax: 600V Type of module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Topology: asymmetrical bridge Max. off-state voltage: 0.6kV Collector current: 300A Case: SP6C Electrical mounting: FASTON connectors; screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 500A Technology: Field Stop; Trench Mechanical mounting: screw |
товар відсутній |