Технічний опис APTGT30A170T1G MICROCHIP TECHNOLOGY
Description: IGBT MODULE 1700V 45A 210W SP1, Packaging: Bulk, Package / Case: SP1, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Half Bridge, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: SP1, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 45 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Power - Max: 210 W, Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.5 nF @ 25 V.
Інші пропозиції APTGT30A170T1G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
APTGT30A170T1G | Виробник : Microchip Technology |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: SP1 Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: SP1 IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 45 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 210 W Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.5 nF @ 25 V |
товару немає в наявності |
||
APTGT30A170T1G | Виробник : Microchip / Microsemi |
![]() |
товару немає в наявності |
||
APTGT30A170T1G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |