на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 4050.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APTGT30H60T1G Microchip Technology
Description: IGBT MODULE 600V 50A 90W SP1, Packaging: Bulk, Package / Case: SP1, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Full Bridge Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: SP1, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Power - Max: 90 W, Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.6 nF @ 25 V.
Інші пропозиції APTGT30H60T1G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
APTGT30H60T1G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|
APTGT30H60T1G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
||
APTGT30H60T1G | Виробник : Microchip Technology |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: SP1 Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Full Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: SP1 IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 90 W Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.6 nF @ 25 V |
товару немає в наявності |