APTGT35H120T3G MICROCHIP TECHNOLOGY


index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=7857 Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APTGT35H120T3G IGBT modules
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APTGT35H120T3G MICROCHIP TECHNOLOGY

Description: IGBT MODULE 1200V 55A 208W SP3, Packaging: Bulk, Package / Case: SP3, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Full Bridge Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: SP3, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 55 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 208 W, Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.5 nF @ 25 V.

Інші пропозиції APTGT35H120T3G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
APTGT35H120T3G Виробник : Microchip Technology index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=7857 Description: IGBT MODULE 1200V 55A 208W SP3
Packaging: Bulk
Package / Case: SP3
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: SP3
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 208 W
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.5 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APTGT35H120T3G Виробник : Microchip / Microsemi index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=7857 IGBT Modules DOR CC3052
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APTGT35H120T3G Виробник : Microchip Technology index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=7857 IGBT Modules PM-IGBT-TFS-SP3F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.