Технічний опис APTGT35X120T3G MICROSEMI
Description: IGBT MODULE 1200V 55A 208W SP3, Packaging: Bulk, Package / Case: SP3, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Three Phase Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: SP3, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 55 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 208 W, Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.5 nF @ 25 V.
Інші пропозиції APTGT35X120T3G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| APTGT35X120T3G | Microchip Technology |
 Description: IGBT MODULE 1200V 55A 208W SP3Packaging: Bulk Package / Case: SP3 Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: SP3 IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 55 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 208 W Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.5 nF @ 25 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. | |
| APTGT35X120T3G | Microchip Technology |
IGBT Modules PM-IGBT-TFS-SP3F |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. | |
| APTGT35X120T3G | Microsemi |
IGBT Modules Power Module - IGBT |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| APTGT35X120T3G |
|
Виробник: Microchip Technology
Description: IGBT MODULE 1200V 55A 208W SP3
Packaging: Bulk
Package / Case: SP3
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: SP3
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 208 W
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.5 nF @ 25 V
Description: IGBT MODULE 1200V 55A 208W SP3
Packaging: Bulk
Package / Case: SP3
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: SP3
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 208 W
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.5 nF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику
од. на суму грн.
| APTGT35X120T3G |
|
Виробник: Microchip Technology
IGBT Modules PM-IGBT-TFS-SP3F
IGBT Modules PM-IGBT-TFS-SP3F
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику
од. на суму грн.
| APTGT35X120T3G |
|
Виробник: Microsemi
IGBT Modules Power Module - IGBT
IGBT Modules Power Module - IGBT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.