Технічний опис APTGT35X120T3G MICROSEMI
Description: IGBT MODULE 1200V 55A 208W SP3, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.5 nF @ 25 V, Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA, Power - Max: 208 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector (Ic) (Max): 55 A, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: SP3, NTC Thermistor: Yes, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Configuration: Three Phase Inverter, Input: Standard, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: SP3, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції APTGT35X120T3G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| APTGT35X120T3G | Microchip Technology |
 Description: IGBT MODULE 1200V 55A 208W SP3Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.5 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA Power - Max: 208 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 55 A IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: SP3 NTC Thermistor: Yes Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Configuration: Three Phase Inverter Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SP3 Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. | |
| APTGT35X120T3G | Microchip Technology |
IGBT Modules PM-IGBT-TFS-SP3F |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. | |
| APTGT35X120T3G | Microsemi |
IGBT Modules Power Module - IGBT |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| APTGT35X120T3G |
|
Виробник: Microchip Technology
Description: IGBT MODULE 1200V 55A 208W SP3
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.5 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Power - Max: 208 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: SP3
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Three Phase Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SP3
Packaging: Bulk
Description: IGBT MODULE 1200V 55A 208W SP3
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.5 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Power - Max: 208 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: SP3
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Three Phase Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SP3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику
од. на суму грн.
| APTGT35X120T3G |
|
Виробник: Microchip Technology
IGBT Modules PM-IGBT-TFS-SP3F
IGBT Modules PM-IGBT-TFS-SP3F
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику
од. на суму грн.
| APTGT35X120T3G |
|
Виробник: Microsemi
IGBT Modules Power Module - IGBT
IGBT Modules Power Module - IGBT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.