APTGT400A120D3G MICROCHIP TECHNOLOGY


High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 400A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: D3
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 400A
Pulsed collector current: 800A
Application: motors
Technology: Field Stop; Trench
Topology: IGBT half-bridge
кількість в упаковці: 4 шт
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APTGT400A120D3G MICROCHIP TECHNOLOGY

Description: IGBT MODULE 1200V 580A 2100W D3, Packaging: Bulk, Package / Case: D-3 Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Half Bridge, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 400A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: D3, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 580 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 2100 W, Current - Collector Cutoff (Max): 750 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 29 nF @ 25 V.

Інші пропозиції APTGT400A120D3G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
APTGT400A120D3G Виробник : MICROSEMI High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf D3POWER MODULE - IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APTGT400A120D3G Виробник : Microchip Technology High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf Description: IGBT MODULE 1200V 580A 2100W D3
Packaging: Bulk
Package / Case: D-3 Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: D3
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 580 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 2100 W
Current - Collector Cutoff (Max): 750 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 29 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APTGT400A120D3G Виробник : Microsemi High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf IGBT Modules Power Module - IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APTGT400A120D3G Виробник : Microchip Technology APTGT400A120D3G_Rev1-3445001.pdf IGBT Modules PM-IGBT-TFS-D3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APTGT400A120D3G Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 400A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: D3
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 400A
Pulsed collector current: 800A
Application: motors
Technology: Field Stop; Trench
Topology: IGBT half-bridge
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.