APTGT50DA120TG

APTGT50DA120TG Microchip Technology


10927887-aptgt50da120tg-rev1-pdf.pdf Виробник: Microchip Technology
Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 277000mW 20-Pin Case SP-4 Tube
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APTGT50DA120TG Microchip Technology

Description: IGBT MODULE 1200V 75A 277W SP4, Packaging: Bulk, Package / Case: SP4, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: SP4, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 75 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 277 W, Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.6 nF @ 25 V.

Інші пропозиції APTGT50DA120TG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
APTGT50DA120TG Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper,NTC thermistor
Collector current: 50A
Case: SP4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Topology: boost chopper; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Application: motors
Electrical mounting: FASTON connectors; soldering
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
кількість в упаковці: 14 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APTGT50DA120TG Виробник : Microchip Technology High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf Description: IGBT MODULE 1200V 75A 277W SP4
Packaging: Bulk
Package / Case: SP4
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: SP4
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 277 W
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.6 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APTGT50DA120TG Виробник : Microchip / Microsemi High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf IGBT Modules DOR CC4132
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APTGT50DA120TG Виробник : Microchip Technology High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf IGBT Modules PM-IGBT-TFS-SP4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APTGT50DA120TG Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper,NTC thermistor
Collector current: 50A
Case: SP4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Topology: boost chopper; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Application: motors
Electrical mounting: FASTON connectors; soldering
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.