APTGT50H120T3G MICROSEMI
Виробник: MICROSEMI
Full - Bridge Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module APTGT50
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APTGT50H120T3G MICROSEMI
Description: IGBT MODULE 1200V 75A 270W SP3, Packaging: Bulk, Package / Case: SP3, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Full Bridge Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: SP3, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 75 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 270 W, Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.6 nF @ 25 V.
Інші пропозиції APTGT50H120T3G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
APTGT50H120T3G | Microchip Technology |
Description: IGBT MODULE 1200V 75A 270W SP3 Packaging: Bulk Package / Case: SP3 Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Full Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: SP3 IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 270 W Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.6 nF @ 25 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. |
| APTGT50H120T3G | Microchip Technology |
IGBT Modules PM-IGBT-TFS-SP3 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. | |
| APTGT50H120T3G | Microsemi |
IGBT Modules Power Module - IGBT |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| APTGT50H120T3G |
Виробник: Microchip Technology
Description: IGBT MODULE 1200V 75A 270W SP3
Packaging: Bulk
Package / Case: SP3
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: SP3
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 270 W
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.6 nF @ 25 V
Description: IGBT MODULE 1200V 75A 270W SP3
Packaging: Bulk
Package / Case: SP3
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: SP3
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 270 W
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.6 nF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику
од. на суму грн.
| APTGT50H120T3G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
IGBT Modules PM-IGBT-TFS-SP3
IGBT Modules PM-IGBT-TFS-SP3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику
од. на суму грн.
| APTGT50H120T3G |
![]() |
Виробник: Microsemi
IGBT Modules Power Module - IGBT
IGBT Modules Power Module - IGBT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.



