APTM100A13SCG Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
Packaging: Bulk
Package / Case: SP6
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1250W
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15200pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 32.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 562nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 6mA
Supplier Device Package: SP6
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 17070.58 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APTM100A13SCG Microchip Technology
Description: MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6, Packaging: Bulk, Package / Case: SP6, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1250W, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15200pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 32.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 562nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 6mA, Supplier Device Package: SP6.
Інші пропозиції APTM100A13SCG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| APTM100A13SCG | Microchip Technology |
Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-7-SBD-SP6C |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| APTM100A13SCG |
|
Виробник: Microchip Technology
Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-7-SBD-SP6C
Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-7-SBD-SP6C
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)