Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > APTM100A13SCG
APTM100A13SCG

APTM100A13SCG Microchip Technology

APTM100A13SCG-Rev4.pdf
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
Packaging: Bulk
Package / Case: SP6
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1250W
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15200pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 32.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 562nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 6mA
Supplier Device Package: SP6
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+17601.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APTM100A13SCG Microchip Technology

Category: Transistor modules, Description: Module; SiC diode/transistor; 1kV; 49A; SP6C; Idm: 240A; 1.25kW, Type of semiconductor module: MOSFET transistor, Semiconductor structure: SiC diode/transistor, Drain-source voltage: 1kV, Drain current: 49A, Case: SP6C, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, On-state resistance: 156mΩ, Pulsed drain current: 240A, Power dissipation: 1.25kW, Technology: POWER MOS 7®; SiC, Gate-source voltage: ±30V, Mechanical mounting: screw, Topology: MOSFET half-bridge + serial diodes + parrallel diodes.

Інші пропозиції APTM100A13SCG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
APTM100A13SCG MICROSEMI APTM100A13SCG-Rev4.pdf SP6/POWER MODULE - SIC APTM100A13S
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APTM100A13SCG Microchip Technology APTM100A13SCG_Rev4.pdf Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-7-SBD-SP6C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APTM100A13SCG MICROCHIP TECHNOLOGY APTM100A13SCG-Rev4.pdf Category: Transistor modules
Description: Module; SiC diode/transistor; 1kV; 49A; SP6C; Idm: 240A; 1.25kW
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: SiC diode/transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 49A
Case: SP6C
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
On-state resistance: 156mΩ
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 1.25kW
Technology: POWER MOS 7®; SiC
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Topology: MOSFET half-bridge + serial diodes + parrallel diodes
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APTM100A13SCG Microsemi APTM100A13SCG-Rev4.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 65A 7-Pin Case SP-6 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APTM100A13SCG APTM100A13SCG-Rev4.pdf
Виробник: MICROSEMI
SP6/POWER MODULE - SIC APTM100A13S
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APTM100A13SCG APTM100A13SCG_Rev4.pdf
Виробник: Microchip Technology
Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-7-SBD-SP6C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APTM100A13SCG APTM100A13SCG-Rev4.pdf
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Transistor modules
Description: Module; SiC diode/transistor; 1kV; 49A; SP6C; Idm: 240A; 1.25kW
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: SiC diode/transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 49A
Case: SP6C
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
On-state resistance: 156mΩ
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 1.25kW
Technology: POWER MOS 7®; SiC
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Topology: MOSFET half-bridge + serial diodes + parrallel diodes
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APTM100A13SCG APTM100A13SCG-Rev4.pdf
Виробник: Microsemi
Trans MOSFET N-CH 1KV 65A 7-Pin Case SP-6 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.