Технічний опис APTM100A23STG Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; diode/transistor; 1kV; 27A; SP4; FASTON connectors,screw, Semiconductor structure: diode/transistor, Case: SP4, Type of semiconductor module: MOSFET transistor, Mechanical mounting: screw, On-state resistance: 0.27Ω, Gate-source voltage: ±30V, Drain current: 27A, Drain-source voltage: 1kV, Power dissipation: 694W, Pulsed drain current: 144A, Topology: MOSFET half-bridge + serial diodes + parrallel diodes; NTC thermistor, Technology: POWER MOS 7®, Electrical mounting: FASTON connectors; screw.
Інші пропозиції APTM100A23STG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| APTM100A23STG | Виробник : MICROSEMI |
SP4/36 A, 1000 V, 0.27 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER,MOSFET APTM100A23кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
| APTM100A23STG | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4 |
товару немає в наявності |
||
| APTM100A23STG | Виробник : Microchip Technology |
Discrete Semiconductor Modules CC4007 |
товару немає в наявності |
||
| APTM100A23STG | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Transistor modules MOSFETDescription: Module; diode/transistor; 1kV; 27A; SP4; FASTON connectors,screw Semiconductor structure: diode/transistor Case: SP4 Type of semiconductor module: MOSFET transistor Mechanical mounting: screw On-state resistance: 0.27Ω Gate-source voltage: ±30V Drain current: 27A Drain-source voltage: 1kV Power dissipation: 694W Pulsed drain current: 144A Topology: MOSFET half-bridge + serial diodes + parrallel diodes; NTC thermistor Technology: POWER MOS 7® Electrical mounting: FASTON connectors; screw |
товару немає в наявності |
