Технічний опис APTM100A23STG Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; diode/transistor; 1kV; 27A; SP4; FASTON connectors,screw, Drain-source voltage: 1kV, Drain current: 27A, Pulsed drain current: 144A, Power dissipation: 694W, Case: SP4, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.27Ω, Type of semiconductor module: MOSFET transistor, Technology: POWER MOS 7®, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Semiconductor structure: diode/transistor, Mechanical mounting: screw, Topology: MOSFET half-bridge + serial diodes + parrallel diodes; NTC thermistor.
Інші пропозиції APTM100A23STG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| APTM100A23STG | Виробник : MICROSEMI |
SP4/36 A, 1000 V, 0.27 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER,MOSFET APTM100A23кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
| APTM100A23STG | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4 |
товару немає в наявності |
||
| APTM100A23STG | Виробник : Microchip Technology |
Discrete Semiconductor Modules CC4007 |
товару немає в наявності |
||
| APTM100A23STG | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Transistor modules MOSFETDescription: Module; diode/transistor; 1kV; 27A; SP4; FASTON connectors,screw Drain-source voltage: 1kV Drain current: 27A Pulsed drain current: 144A Power dissipation: 694W Case: SP4 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.27Ω Type of semiconductor module: MOSFET transistor Technology: POWER MOS 7® Electrical mounting: FASTON connectors; screw Semiconductor structure: diode/transistor Mechanical mounting: screw Topology: MOSFET half-bridge + serial diodes + parrallel diodes; NTC thermistor |
товару немає в наявності |
