APTM100H45STG Microchip Technology
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APTM100H45STG Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; diode/transistor; 1kV; 14A; SP4; FASTON connectors,screw, Type of module: MOSFET transistor, Mechanical mounting: screw, Drain current: 14A, Drain-source voltage: 1kV, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Gate-source voltage: ±30V, Semiconductor structure: diode/transistor, Case: SP4, On-state resistance: 0.54Ω, Topology: H bridge + parrallel diodes + sereies diodes; NTC thermistor, Pulsed drain current: 72A, Power dissipation: 357W, Technology: POWER MOS 7®, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APTM100H45STG
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
APTM100H45STG | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 1KV 18A 20-Pin Case SP-4 Tube |
товар відсутній |
||
APTM100H45STG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; diode/transistor; 1kV; 14A; SP4; FASTON connectors,screw Type of module: MOSFET transistor Mechanical mounting: screw Drain current: 14A Drain-source voltage: 1kV Electrical mounting: FASTON connectors; screw Gate-source voltage: ±30V Semiconductor structure: diode/transistor Case: SP4 On-state resistance: 0.54Ω Topology: H bridge + parrallel diodes + sereies diodes; NTC thermistor Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 357W Technology: POWER MOS 7® кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
APTM100H45STG | Виробник : Microchip / Microsemi | Discrete Semiconductor Modules DOR CC4043 |
товар відсутній |
||
APTM100H45STG | Виробник : Microchip Technology | Discrete Semiconductor Modules DOR CC4043 |
товар відсутній |
||
APTM100H45STG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; diode/transistor; 1kV; 14A; SP4; FASTON connectors,screw Type of module: MOSFET transistor Mechanical mounting: screw Drain current: 14A Drain-source voltage: 1kV Electrical mounting: FASTON connectors; screw Gate-source voltage: ±30V Semiconductor structure: diode/transistor Case: SP4 On-state resistance: 0.54Ω Topology: H bridge + parrallel diodes + sereies diodes; NTC thermistor Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 357W Technology: POWER MOS 7® |
товар відсутній |