APTM100H45STG Microchip Technology
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APTM100H45STG Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; diode/transistor; 1kV; 14A; SP4; FASTON connectors,screw, Type of semiconductor module: MOSFET transistor, Semiconductor structure: diode/transistor, Drain-source voltage: 1kV, Drain current: 14A, On-state resistance: 0.54Ω, Power dissipation: 357W, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Mechanical mounting: screw, Technology: POWER MOS 7®, Gate-source voltage: ±30V, Topology: H bridge + parrallel diodes + sereies diodes; NTC thermistor, Pulsed drain current: 72A, Case: SP4, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APTM100H45STG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APTM100H45STG | Виробник : Microchip Technology |
 Trans MOSFET N-CH 1KV 18A 20-Pin Case SP-4 Tube |
товару немає в наявності |
|
| APTM100H45STG | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; diode/transistor; 1kV; 14A; SP4; FASTON connectors,screw Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: diode/transistor Drain-source voltage: 1kV Drain current: 14A On-state resistance: 0.54Ω Power dissipation: 357W Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Technology: POWER MOS 7® Gate-source voltage: ±30V Topology: H bridge + parrallel diodes + sereies diodes; NTC thermistor Pulsed drain current: 72A Case: SP4 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
| APTM100H45STG | Виробник : Microchip / Microsemi |
Discrete Semiconductor Modules DOR CC4043 |
товару немає в наявності |
||
| APTM100H45STG | Виробник : Microchip Technology |
MOSFET Modules PM-MOSFET-7-SP4 |
товару немає в наявності |
||
| APTM100H45STG | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; diode/transistor; 1kV; 14A; SP4; FASTON connectors,screw Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: diode/transistor Drain-source voltage: 1kV Drain current: 14A On-state resistance: 0.54Ω Power dissipation: 357W Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Technology: POWER MOS 7® Gate-source voltage: ±30V Topology: H bridge + parrallel diodes + sereies diodes; NTC thermistor Pulsed drain current: 72A Case: SP4 |
товару немає в наявності |