APTM100H46FT3G Microchip Technology


13198016-aptm100h46ft3g-rev1-pdf.pdf Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 1KV 19A 20-Pin Case SP-3 Tube
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APTM100H46FT3G Microchip Technology

Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; transistor/transistor; 1kV; 14A; SP3; Press-in PCB; 357W, Type of semiconductor module: MOSFET transistor, Semiconductor structure: transistor/transistor, Drain-source voltage: 1kV, Drain current: 14A, On-state resistance: 552mΩ, Power dissipation: 357W, Electrical mounting: Press-in PCB, Mechanical mounting: screw, Technology: POWER MOS 8®, Gate-source voltage: ±30V, Topology: H-bridge; NTC thermistor, Pulsed drain current: 120A, Case: SP3, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції APTM100H46FT3G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
APTM100H46FT3G Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=8016 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 1kV; 14A; SP3; Press-in PCB; 357W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 14A
On-state resistance: 552mΩ
Power dissipation: 357W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: POWER MOS 8®
Gate-source voltage: ±30V
Topology: H-bridge; NTC thermistor
Pulsed drain current: 120A
Case: SP3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APTM100H46FT3G Виробник : Microsemi Corporation index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=8016 Description: MOSFET 4N-CH 1000V 19A SP3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APTM100H46FT3G Виробник : Microchip Technology msco_s_a0003943330_1-2275835.pdf Discrete Semiconductor Modules DOR CC3061
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APTM100H46FT3G Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=8016 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 1kV; 14A; SP3; Press-in PCB; 357W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 14A
On-state resistance: 552mΩ
Power dissipation: 357W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: POWER MOS 8®
Gate-source voltage: ±30V
Topology: H-bridge; NTC thermistor
Pulsed drain current: 120A
Case: SP3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.