APTM100UM65SAG Microchip Technology
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APTM100UM65SAG Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; diode/transistor; 1kV; 110A; SP6C; Idm: 580A; 3.25kW; screw, Type of module: MOSFET transistor, Mechanical mounting: screw, Drain current: 110A, Drain-source voltage: 1kV, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Gate-source voltage: ±30V, Semiconductor structure: diode/transistor, Case: SP6C, On-state resistance: 78mΩ, Topology: single transistor + series diode - parrallel diode, Pulsed drain current: 580A, Power dissipation: 3.25kW, Technology: POWER MOS 7®, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APTM100UM65SAG за ціною від 21685.24 грн до 27207.9 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| APTM100UM65SAG | Виробник : Microchip Technology |
 Discrete Semiconductor Modules CC6021 |
на замовлення 121 шт: термін постачання 386-395 дні (днів) |
|
|||||||
| APTM100UM65SAG | Виробник : Microchip Technology / Atmel |
Discrete Semiconductor Modules CC6021 |
на замовлення 63 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||
 |
APTM100UM65SAG | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 1KV 145A 4-Pin Case SP-6 Tube |
товар відсутній |
|||||||
| APTM100UM65SAG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; diode/transistor; 1kV; 110A; SP6C; Idm: 580A; 3.25kW; screw Type of module: MOSFET transistor Mechanical mounting: screw Drain current: 110A Drain-source voltage: 1kV Electrical mounting: FASTON connectors; screw Gate-source voltage: ±30V Semiconductor structure: diode/transistor Case: SP6C On-state resistance: 78mΩ Topology: single transistor + series diode - parrallel diode Pulsed drain current: 580A Power dissipation: 3.25kW Technology: POWER MOS 7® кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||
| APTM100UM65SAG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; diode/transistor; 1kV; 110A; SP6C; Idm: 580A; 3.25kW; screw Type of module: MOSFET transistor Mechanical mounting: screw Drain current: 110A Drain-source voltage: 1kV Electrical mounting: FASTON connectors; screw Gate-source voltage: ±30V Semiconductor structure: diode/transistor Case: SP6C On-state resistance: 78mΩ Topology: single transistor + series diode - parrallel diode Pulsed drain current: 580A Power dissipation: 3.25kW Technology: POWER MOS 7® |
товар відсутній |