APTM10AM02FG Microchip Technology


APTM10AM02FG-Rev2.pdf
Виробник: Microchip Technology
MOSFET Modules PM-MOSFET-FREDFET-5-SP6C
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+18935.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APTM10AM02FG Microchip Technology

Description: MOSFET 2N-CH 100V 495A SP6, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40000pF @ 25V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 495A, Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Power - Max: 1250W, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: SP6, Packaging: Bulk, Supplier Device Package: SP6, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1360nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 200A, 10V.

Інші пропозиції APTM10AM02FG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
APTM10AM02FG APTM10AM02FG Microchip Technology High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 495A SP6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40000pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 495A
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 1250W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SP6
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: SP6
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1360nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 200A, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APTM10AM02FG Microchip / Microsemi High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf Discrete Semiconductor Modules CC6034
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APTM10AM02FG High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET 2N-CH 100V 495A SP6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40000pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 495A
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 1250W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SP6
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: SP6
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1360nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 200A, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APTM10AM02FG High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf
Виробник: Microchip / Microsemi
Discrete Semiconductor Modules CC6034
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.