APTM10HM09FT3G

APTM10HM09FT3G Microchip Technology


4008866090886838055-aptm10hm09ft3g-rev2-pdf.pdf Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 100V 139A 32-Pin Case SP-3 Tube
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APTM10HM09FT3G Microchip Technology

Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; transistor/transistor; 100V; 100A; SP3F; Press-in PCB, Electrical mounting: Press-in PCB, Case: SP3F, Mechanical mounting: screw, Type of semiconductor module: MOSFET transistor, Semiconductor structure: transistor/transistor, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 100A, On-state resistance: 10mΩ, Power dissipation: 390W, Technology: FREDFET; POWER MOS 5®, Gate-source voltage: ±30V, Topology: H-bridge; NTC thermistor, Pulsed drain current: 430A, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції APTM10HM09FT3G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
APTM10HM09FT3G Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 100V; 100A; SP3F; Press-in PCB
Electrical mounting: Press-in PCB
Case: SP3F
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
On-state resistance: 10mΩ
Power dissipation: 390W
Technology: FREDFET; POWER MOS 5®
Gate-source voltage: ±30V
Topology: H-bridge; NTC thermistor
Pulsed drain current: 430A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APTM10HM09FT3G Виробник : Microchip Technology High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf Description: MOSFET 4N-CH 100V 139A SP3
Packaging: Bulk
Package / Case: SP3
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 390W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 139A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9875pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 69.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Supplier Device Package: SP3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APTM10HM09FT3G Виробник : Microchip / Microsemi High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf Discrete Semiconductor Modules CC3027
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APTM10HM09FT3G Виробник : Microchip Technology APTM10HM09FT3G_Rev3-3445168.pdf MOSFET Modules PM-MOSFET-FREDFET-5-SP3F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APTM10HM09FT3G Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 100V; 100A; SP3F; Press-in PCB
Electrical mounting: Press-in PCB
Case: SP3F
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
On-state resistance: 10mΩ
Power dissipation: 390W
Technology: FREDFET; POWER MOS 5®
Gate-source voltage: ±30V
Topology: H-bridge; NTC thermistor
Pulsed drain current: 430A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.