APTM10HM09FT3G Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: MOSFET 4N-CH 100V 139A SP3
Packaging: Bulk
Package / Case: SP3
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 390W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 139A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9875pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 69.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Supplier Device Package: SP3
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APTM10HM09FT3G Microchip Technology
Description: MOSFET 4N-CH 100V 139A SP3, Packaging: Bulk, Package / Case: SP3, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 390W, Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 139A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9875pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 69.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA, Supplier Device Package: SP3.
Інші пропозиції APTM10HM09FT3G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| APTM10HM09FT3G | Виробник : Microchip / Microsemi |
Discrete Semiconductor Modules CC3027 |
товару немає в наявності |
||
| APTM10HM09FT3G | Виробник : Microchip Technology |
MOSFET Modules PM-MOSFET-FREDFET-5-SP3F |
товару немає в наявності |