Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > APTM10HM09FT3G

APTM10HM09FT3G Microchip Technology

4008866090886838055-aptm10hm09ft3g-rev2-pdf.pdf

Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 100V 139A 32-Pin Case SP-3 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис APTM10HM09FT3G Microchip Technology

Description: MOSFET 4N-CH 100V 139A SP3, Packaging: Bulk, Package / Case: SP3, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 390W, Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 139A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9875pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 69.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA, Supplier Device Package: SP3.

Інші пропозиції APTM10HM09FT3G

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
APTM10HM09FT3G	Виробник : Microchip Technology	Description: MOSFET 4N-CH 100V 139A SP3 Packaging: Bulk Package / Case: SP3 Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 390W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 139A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9875pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 69.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA Supplier Device Package: SP3	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APTM10HM09FT3G	Виробник : Microchip / Microsemi	Discrete Semiconductor Modules CC3027	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APTM10HM09FT3G	Виробник : Microchip Technology	MOSFET Modules PM-MOSFET-FREDFET-5-SP3F	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APTM10HM09FT3G	Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY	Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; transistor/transistor; 100V; 100A; SP3F; Press-in PCB Case: SP3F Electrical mounting: Press-in PCB Technology: FREDFET; POWER MOS 5® Topology: H-bridge; NTC thermistor Type of semiconductor module: MOSFET transistor Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: transistor/transistor On-state resistance: 10mΩ Gate-source voltage: ±30V Drain current: 100A Drain-source voltage: 100V Power dissipation: 390W Pulsed drain current: 430A	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.