Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > APTM10UM01FAG

APTM10UM01FAG Microchip Technology

APTM10UM01FAG_Rev2-3445071.pdf Виробник: Microchip Technology
MOSFET Modules PM-MOSFET-FREDFET-5-SP6C
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+28661.02 грн
25+27945.32 грн
100+21228.54 грн
250+21047.13 грн
500+20547.15 грн
1000+20544.24 грн
5000+20537.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APTM10UM01FAG Microchip Technology

Description: MOSFET N-CH 100V 860A SP6, Packaging: Bulk, Package / Case: SP6, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 275A, 10V, Power Dissipation (Max): 2500W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 12mA, Supplier Device Package: SP6, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2100 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції APTM10UM01FAG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
APTM10UM01FAG Виробник : Microchip / Microsemi High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf Discrete Semiconductor Modules CC6092
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APTM10UM01FAG Виробник : Microchip Technology 11468064-aptm10um01fag-rev1-pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 860A 5-Pin Case SP-6 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APTM10UM01FAG Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf APTM10UM01FAG Transistor modules MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APTM10UM01FAG APTM10UM01FAG Виробник : Microchip Technology High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 860A SP6
Packaging: Bulk
Package / Case: SP6
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 275A, 10V
Power Dissipation (Max): 2500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 12mA
Supplier Device Package: SP6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.