APTM10UM01FAG Microchip Technology
на замовлення 4 шт:
термін постачання 269-278 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 27324.73 грн |
| 100+ | 20008.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APTM10UM01FAG Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; single transistor; 100V; 640A; SP6C; Idm: 2200A; 2.5kW, Technology: FREDFET; POWER MOS 5®, Case: SP6C, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 640A, On-state resistance: 1.6mΩ, Power dissipation: 2.5kW, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Mechanical mounting: screw, Type of module: MOSFET transistor, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 2200A, Semiconductor structure: single transistor, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APTM10UM01FAG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| APTM10UM01FAG | Виробник : Microchip / Microsemi |
 Discrete Semiconductor Modules CC6092 |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||
| APTM10UM01FAG | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 100V 860A 5-Pin Case SP-6 Tube |
товар відсутній |
||
| APTM10UM01FAG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 100V; 640A; SP6C; Idm: 2200A; 2.5kW Technology: FREDFET; POWER MOS 5® Case: SP6C Drain-source voltage: 100V Drain current: 640A On-state resistance: 1.6mΩ Power dissipation: 2.5kW Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 2200A Semiconductor structure: single transistor кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
 |
APTM10UM01FAG | Виробник : Microsemi Corporation |
Description: MOSFET N-CH 100V 860A SP6 |
товар відсутній |
|
| APTM10UM01FAG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 100V; 640A; SP6C; Idm: 2200A; 2.5kW Technology: FREDFET; POWER MOS 5® Case: SP6C Drain-source voltage: 100V Drain current: 640A On-state resistance: 1.6mΩ Power dissipation: 2.5kW Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 2200A Semiconductor structure: single transistor |
товар відсутній |